邹世昌，江苏太仓人，1931年7月生于上海市，上海微系统所研究员，博士生导师，材料科学家。1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系（后与北洋大学等6所大学的矿冶学科调整成立北京钢铁工业学院，即现在的北京科技大学）；1954年赴苏留学；1958年在苏联莫斯科有色金属学院获副博士学位；回国后在上海冶金所研究所（现上海微系统所）工作，历任离子束开放实验室主任、所长，先后担任离子注入和材料改性两个国际学术会议的国际委员会委员。曾受聘为德国慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授。1986年当选为中共上海市第五届委员会候补委员。1992年当选为中共第十四届中央委员会候补委员。现兼任上海市集成电路行业协会名誉会长、上海宏力半导体制造有限公司科学顾问。20世纪60年代曾负责国防重点任务甲种分离膜（代号“真空阀门”）的加工成形工作，是成功研制甲种分离膜的第二发明人；20世纪70年代以后在离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作，独创了用二氧化碳激光背面辐照获得离子注入损伤的增强退火效应，用全离子注入技术研制成我国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成我国第一批闪光全息光栅，研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路，发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。曾获国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励，发表文章200多篇，培养博士生30多名，2003年被评为上海浦东开发建设杰出人才，2008年被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。1991年当选为中国科学院学部委员（1993年改称院士）。

他，生于乱世，辗转求学；他，勤学好问，笔耕不辍；他科学图强，诲人不倦；他，老骥伏枥，矢志报国。他，就是中国科学院院士，邹世昌。

从新中国低合金钢的研制，到高端硅基材料的研究；从第一颗原子弹的爆炸，到开创研究所的新局面。数十年来邹世昌走南闯北，硕果累累。以严谨的科学态度，广博的胸怀，高远的目光和兼容并包的思想，引领中国尖端科技向前迈进！

梦 · 求学明志

1931年，多事之秋。这一年，“九一八事变”开启了日军全面侵华的道路；这一年，蒋介石提出“攘外必先安内”，国民生活一片水深火热。这一年，邹世昌出生在上海。

1937年7月7日，卢沟桥事变，8月13日淞沪会战，上海沦陷了。此时，年仅6岁的邹世昌刚刚懂事，便目睹了日本帝国主义的侵略暴行，目睹了旧中国饱受列强蹂躏，满目疮痍。1941年，太平洋战争爆发，上海租界被日军占领，日军建立了封锁区，老百姓受尽苦难，只能吃碎米或是发霉的米，通过封锁区要接受日本兵的检查。国贫民弱，受压迫、受欺凌的仇恨和为国家之崛起而奋斗的种子悄悄埋在年幼的邹世昌心中。抗战的岁月，整个社会都在动荡之中，邹世昌家境贫寒，他在逆境之中奋发图强，凭借自己优秀的成绩得到了当时上海最大的两份报纸《申报》和《新闻报》提供的助学金。同时他的哥哥和姐姐先后辍学打工来资助他上学，邹世昌的求学之路得以继续。

1943年，邹世昌报考了中华职业学校，学习机械科，1945年转学到离家较近的格致中学。同年美国在广岛和长崎投下了两颗原子弹，8月15日日本宣布无条件投降。这给了少年时代的邹世昌一个最直接的冲击，他意识到：强大的经济实力和先进的科学技术是取得战争主动权的重要因素。中国之所以受侵略、受压迫，国力衰弱和科技落后是至关重要的原因。

当时各界对抗战胜利后的社会民生抱有很大期望，觉得抗战胜利了，就是“天亮了”。意想不到的是，国民党接管上海后，境况并没有改观，只是日本人换成了美国人，日本兵的暴政虐刑换成了美国兵的横行霸道，社会秩序一塌糊涂。国民党派来的接收大员贪污腐败，物价暴涨，老百姓依然生活在水深火热之中。邹世昌逐渐明白，国家要富强，只凭经济实力还不够，还必须有一个为老百姓着想和服务的政府。艰难困苦，玉汝于成。少年时代的一系列经历，促成了邹世昌的种种思考，树立了他自强不息、治学报国的志向。

1949年，邹世昌高中毕业，收到多所国立大学的录取通知书。为了减轻家里的经济负担，帮助弟弟妹妹，父母反复斟酌，决定让他去读申新纱厂创办的中国纺织工学院，期望毕业后能在纺织厂找到一个安分的工作。

新中国成立后，邹世昌开始接触新的思想，萌生了投身经济建设的念头。1950年，国家重点发展重工业，邹世昌便怀着工业救国的梦想毅然转学到了唐山交通大学，就读重工业建设紧缺的冶金工程专业。也就是在这里，他的人生发生了重大转折。20世纪50年代的唐山交通大学汇聚了茅以升、唐振绪等一大批专家、名师。大学里他奔波于教室、图书馆之间，勤奋学习，汲取营养；他结识了人生的导师—吴自良 ；在这里已经明确理想的邹世昌受到了“竢实扬华、自强不息”的校魂和严谨求实、重视实践的校风的感染；在这里他养成了果毅力行、忠恕任事的人生品格和踏踏实实、艰苦奋斗的作风。

1952年，由于全国院系调整，唐山交通大学矿冶系调整到刚刚成立的北京钢铁工业学院。这时的邹世昌已经临近毕业，被分配到中国科学院冶金陶瓷研究所，进行建立我国低合金钢系统的开创性研究。从那时起，邹世昌的命运就与新中国的科学事业密切联系起来了。

1953年，邹世昌通过国家层层选拔，到北京俄语专修学校学习俄语，为赴苏联留学做准备。他在回忆这段经历时说：“新中国成立初期国家经济十分困难，培养1个留苏生的代价相当于国内培养30个大学生，但为了把这批学生送出国，国家为每个人准备的生活用品比父母考虑得还周到。正是党和人民，将我从一个连做梦也想不到可以出国留学的穷苦的孩子培养成才。”这些更加坚定了他报效国家的决心。1954年，邹世昌前往莫斯科有色金属学院留学，开始了为期三年半的留苏生涯。在莫斯科，邹世昌不仅学习刻苦，还光荣地加入了中国共产党，而最让他难忘的是1957年11月在苏联访问的毛泽东主席亲自接见了包括邹世昌在内的留苏学生。他亲耳聆听了毛主席“世界是你们的，也是我们的，但归根结底是你们的”、“你们青年人朝气蓬勃，好像早晨八九点钟的太阳”的著名讲话，这让身处异国他乡的邹世昌感到无比的鼓舞，也为他一生报国打下了坚实的思想基础。

宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来。历经磨难，打造出坚毅的品格；艰苦求学，成就了他人生的志向。1958年，在苏联莫斯科有色金属学院获得副博士学位的邹世昌回到上海冶金研究所，开始了他一生为国家奋斗的筑梦历程。

梦 · 工业救国

1964年10月16日，我国西部地区新疆罗布泊上空，一朵巨大的蘑菇云腾空升起，我国第一颗原子弹爆炸成功。原子弹成功爆炸的消息传来，作为参与研制的一员，邹世昌激动的心情无以言表，四年来不分昼夜的研究终有所成，这一刻所有的付出都得到了回报。

早在1955年，党中央和毛泽东主席就做出了要研制原子弹的决策。根据当时的国际形势，中央确定了积极防御的战略方针，为了防御，中国也要搞原子弹。毛主席批示：“要大力协同做好这件工作”。

众所周知，铀235是最重要的核燃料，然而天然铀中，铀235只占0.7%，其余99.3%则是铀238。但用于制造核武器的浓缩铀中，铀235的丰度要达到90%以上。然而铀的两个同位素铀238和铀235的物理和化学性质都极相似，这就决定了分离铀同位素是一项十分关键但又十分困难的技术。20世纪60年代唯一可行的工业规模分离铀同位素的技术是气体扩散法。这种分离技术的关键是分离膜元件的制造技术，当时只有美国、英国和苏联掌握制造分离膜的技术，但均被列为重点国防机密，严禁扩散，苏联更是把这种分离膜称为“社会主义阵营安全的心脏”。1960年，中苏关系破裂。苏联撕毁协议、撤走专家后，设备虽然已经在中国，但是分离膜等关键元件不提供了。没有分离膜元件，发展核工业和核武器就成了无米之炊，既造不了反应堆，也爆不了原子弹，我国核工业面临夭折的危险。

二机部苏联专家撤完的前几天，邹世昌正在长春出差，一封电报把他召到了北京。二机部副部长、原子能所所长钱三强 在北京约见中科院上海冶金研究所党委书记兼副所长万钧、粉末冶金学家金大康和邹世昌，亲自向他们下达了研制“甲种隔离膜”的任务（代号“真空阀门”）。钱三强对他们说：“有人扬言，苏联专家走后，中国的浓缩铀工厂将成为一堆废铜烂铁。其中关键之一就是，我们不会制造分离铀235的分离膜元件。这个技术是机密的不可能得到任何资料。党和国家决定把研制分离膜元件的任务交给你们来完成。”听了这些话，大家深感责任重大，回到上海后，立即组织人力开展研究。1961年11月，鉴于任务的迫切性，有关单位的科研人员和设备被集中到上海冶金所联合攻关。成立了专门研究室，由研究所副所长吴自良任主任，下设三个大组，其中第二大组负责成膜工艺并制成分离膜元件。邹世昌任组长，这一年，他30岁。

那时正值国家困难时期，物质条件比较艰苦。邹世昌和其他攻关人员住在几人一间的集体宿舍里，吃的是集体大食堂，粗茶淡饭，荤腥难沾。“天将降大任于斯人也，必先苦其心志，劳其筋骨，饿其体肤，空乏其身，行拂乱其所为，所以动心忍性，曾益其所不能。”面对生活条件的困苦，邹世昌不怕苦、不怕累，坚持奋战在实验室最前列。相比生活条件的艰苦，研究材料的缺少更是成了邹世昌面前的大问题。分离元件既要有合理的空隙与分离功能，又要有足够的机械强度并具有经得起六氟化铀气体腐蚀的化学稳定性，在选料、制材和热处理方面都有极其特殊的要求。邹世昌领导的第二大组负责分离元件制造工艺的研究，包括粉末成型、压力加工、热处理、焊接等环节，难度重重。面对困难，邹世昌带领攻关人员不停地实验，夜以继日地工作。经过无数次试验，终于确定了有关工艺的设备、工艺和参数。1963年，第二大组对技术路线进行了优选决策，制成了合乎要求的分离膜。

分离膜元件的焊接成型也是一个大难题。当时我国能生产供应的焊头材料性能较差，达不到甲种分离膜焊接工艺的要求。刚好邹世昌在苏联读书时曾研究出一种高强度、高电导、热稳定的铜合金材料。邹世昌将这一材料加工成了焊接电极，使用效果很好，为甲种分离膜的研制铲平了又一个障碍。

1964年初，实验室试制工作基本结束，随即转入试生产。邹世昌与组内的同志下到工厂，指导生产并确定工艺操作规程。1965年，分离膜制造技术通过了国家鉴定，并于同年建厂批量生产，使中国成为世界上除美、英、苏之外第四个独立掌握浓缩铀技术的国家。二十多年的实际使用结果表明，自制分离膜的使用效果比预期的还要好。鉴于甲种分离膜对我国的核工业的建设做出的重要贡献，这项技术在1984年被授予国家发明奖一等奖，邹世昌排名第二。

闲居非吾志，甘心赴国忧。邹世昌怀揣工业救国的梦想，受命于危难之际，在没有任何资料可供参考的情况下，在摸索中艰难前行。一次次的实验，一次次的败，一次次的总结，再实验，再失败，再总结，屡败屡战，愈挫愈勇。邹世昌，从不向失败示弱，为捍卫国家的利益付出了自己的努力。

梦 · 科技报国

从无到有，拓荒离子束研究

20世纪70年代初，经过文化大革命批判和农村劳动教育的邹世昌回到了科研工作岗位，此时他的研究领域已经转向了离子束与固体材料相互作用及其在半导体材料与器件方面的应用。由于环境所限，当时能使用的设备只有国内制造的一台二十万电子伏特能量离子注入机，性能很不稳定。邹世昌毅然决定对已有设备进行改造扩充其功能开展研究工作。

1974年，邹世昌带领团队与上海原子能核研究所合作，在离子注入机上配置束流准直器及精密定角器，建立了背散射能谱测量及沟道效应分析系统，应用于离子注入半导体的表面层组分浓度分布的测定、晶格损伤的分析以及掺杂原子晶格定位。1975年9月，邹世昌带着取得的成果在第二届“离子束表面层分析”学术会议上发表了论文，引起了国际同行的好评。令他们十分惊讶的是，国际上一般都要用百万以上电子伏特能量加速器及精密仪器进行的实验，中国人竟能在自制的设备上完成研究工作。这篇论文也是我国第一篇在国际学术界发表的利用离子背散射能谱分析开展半导体研究的论文。

1978年，邹世昌带领的团队与中科院上海光机所合作，在国内率先开展了半导体激光退火的研究工作。1979年，邹世昌以客座教授的身份应邀前往前西德弗朗霍夫学会固体技术研究所工作十个月。邹世昌罕有的勤奋和谦逊给弗朗霍学会的德国同行们留下了深刻的印象。十个月的工作结束，邹世昌完成了4篇非常具有创意的论文，并在弗朗霍夫学会固体技术研究所所长的推荐下参加了第二届“国际离子束材料改性”学术会议。会议上邹世昌发表了研究结果，取得了热烈的反响。会前，他还应邀到美国国家标准局、海军实验室、贝尔实验室、IBMWatson研究中心作学术报告。从此，国际离子束学术领域多了一个中国人的名字：邹世昌。1982年，鉴于邹世昌对离子注入技术领域的杰出贡献，国际波姆物理学会接纳他为会员。1985年，他更被推选为离子注入技术和离子束材料改性两个学术会议的国际委员会员。

从无到有，邹世昌书写的是一往无前的拓荒精神。正是这种拓荒精神，这种为国为民的思想使得我国离子束技术及其应用在世界上能够占有一席之地。

致知力行，创新离子束应用

1985年，邹世昌创建了中国科学院离子束开放研究实验室，对离子束与固体材料的相互作用进行了系统的研究，并应用于材料的改性、合成、加工、分析，相继完成了以下重要研究成果：

半导体离子注入：研究了离子注入硅的损伤及其退火行为，独创地提出了用二氧化碳激光从背面照射对离子注入半导体进行退火及合金化的新方法，这项工作获中国科学院1982年重大科技成果二等奖。研究了用双离子注入的方法在磷化铟中得到了最高的载流子浓度及掺杂电激活率，并用全离子注入技术率先研制出国内第一块120门砷化镓门阵列电路和高速分频器，获中国科学院1990年科技进步一等奖。

SOI技术：用离子注入和激光再结晶方法合成了SOI新材料，获得了一系列发明专利。在深入分析SOI材料光学效应的基础上，提出了一套非破坏性的表征技术，研制成功新型的CMOS/SOI电路。该项目获中国科学院1990年自然科学二等奖。现在SOI材料已进入实用并成为21世纪硅集成电路的前沿技术，2006年上海微系统所的青年科学家们在实验室研究积累的基础上实现了SOI材料的产业化并获得了国家科技进步一等奖。

离子束细微加工：研究了低能离子束轰击材料表面引起的溅射、损伤和貌相变化等物理现象，并用反应离子束细微加工在石英基片上刻蚀出我国第一批实用闪耀全息光栅，闪耀角可控，工艺重复稳定，衍射效率大为提高，这是光栅制造技术的重大突破，获中国科学院1987年科技进步二等奖和1989年国家科技进步三等奖。

离子束增强沉积：负责国家“863高技术材料领域材料表面优化”专题，建立并掌握了可控、可预置和可重复的离子束增强沉积技术，合成了与基体有很强黏附力，低摩擦系数和高耐磨性的氮化硅、氮化钛薄膜。

作为国内离子束研究的先驱，邹世昌在近半个世纪的时间里，共完成200多篇学术论文，获得一项国家发明一等奖，14项国家、科学院和部委自然科学、科技进步奖，奠定了我国在离子束领域的国际地位，为我国离子束研究与应用领域做出了卓越的贡献。

殚精竭虑，管理科研双肩挑

1983年，邹世昌走上了中国科学院上海冶金研究所所长岗位，这一年，他52岁。邹世昌下定决心：既然组织和群众充分信任，那走上所长岗位后就应当全力以赴，办成几件建设性的大事，尤其是要坚持原则，秉公办事，听取各方面意见。

1987年7月，冶金所召开了首届职工代表大会，会上邹世昌做了关于在研究所实行体制改革的报告，拉开了冶金所全面改革的序幕。改革是对利益分配的一次再调整。面对改革过程中出现的个人与集体、局部与整体等各种各样的矛盾与阻力，邹世昌没有碰到困难就绕道走，而是坚持原则，凡是有利于全所学术水平提升、综合实力增长、青年队伍成长的事情，即便一时不能为一部分人所理解，也一定要把它做好。一心为公，坚持原则，不图虚名，多做实事，不计较个人得失，经得起困难与时间的考验，这就是邹世昌的领导原则。

邹世昌担任所长的14年中，冶金所的职工收入逐年增长，年平均收入从1984年的1300元提升到1996年的19174元，而邹世昌坚持不给自己发年终奖金。克己奉公，对邹世昌来说是一贯的。早在1979年，德国弗朗霍夫学会邀请邹世昌以客座教授身份到固体技术研究所工作了近一年时间，回国之时邹世昌省下一笔外汇，他用这笔钱为所里买了一台价值3000美元的计算机和一些计算器、集成电路及其他零件。同志们都赞扬他爱祖国、爱事业的精神，而邹世昌却只是轻描淡写地说“这是我应该做的”。

邹世昌坚信，作为科学院的研究所，必须保持并提高学术水平，在国际学术舞台上拥有一席之地。而这只有通过加强基础研究、培养高水平的学术人才才能实现。在经费十分紧张的情况下，他主持制定了《择优支持基础研究的条例》，设立青年科技基金，对学术上有竞争力的研究课题和人员择优予以支持，创造稳定的科研环境。根据中科院“把主要力量组织到为经济建设发展服务主战场，保持一支精干力量从事基础研究和高技术创新”方针，邹世昌提出，应用研究和开发工作必须与市场接轨。要实现科技成果的商品化，决不能停留在立项目、争经费、出样品、搞鉴定、报嘉奖、入档案的旧观念与程式上，否则花费了大量财力、人力、物力，取得的成果并不会被社会所承认，也不可能得到后续的支持，最后濒于无法维持和被淘汰的局面。

在邹世昌担任所长的“七五”、“八五”和“九五”期间，上海冶金所承担了大量的国家攻关863高技术、国防军工和中科院重大研究等项目，14年间获得国家发明奖8项、国家科技进步奖14项、中科院科技进步奖111项、部委省市科技进步奖59项，每年在国际学术期刊与国内学报上发表论文三百多篇，自从国家建立论文统计系统以来，在国外发表的论文数及被引用数历年都排在全国研究机构的前十位。他担任所长期间，组建了离子束开放实验室、传感技术联合实验室、世界银行贷款的信息功能材料实验室、中德联合SIM-奔驰实验室和微电子、光盘及其应用、国家金属薄膜功能材料工程技术研究中心等一批科研单元和高技术转移转化机构。在一些探索性、原创性科研项目取得长足进展的同时，研究所的科研活动也得以更好地渗透到社会主义市场经济建设的大潮中，发挥了科研国家队的作用。

梦 · 产业强国

1997年，邹世昌卸任上海冶金所所长。那时，上海市和原电子工业部正着手在浦东建设我国第一条8英寸集成电路生产线。怀着振兴微电子产业愿望的邹世昌接受了上海市政府的委托，参加国家909工程中日合资上海华虹NEC电子有限公司的筹建工作。这一年，邹世昌66岁。

提到我国半导体产业，邹世昌不无感慨地说，在我国的重大科技项目中，20世纪60年代的“两弹一星”与集成电路研制形成了强烈反差。“两弹一星”使我国一举跻身少数拥有核武器的国家行列，而当时起步并不晚的集成电路却与国际集成电路产业的发展渐行渐远。早在1965年，上海冶金所和上海元件五厂就共同研究试制出上海第一块集成电路，几乎与日本同步。但是由于种种原因，历经30余年，我国仍未建立起规模经营的半导体产业。90年代初，邹世昌出国考察时，看到起步比我国晚得多的新加坡甚至马来西亚的半导体产业都后来居上，心里久久不能平静，一种强烈的责任感驱使他不甘人后，决心改变我国微电子产业落后的面貌。

华虹NEC筹建的过程中，从谈判到签约，从打桩到建厂房，年近古稀的邹世昌日日夜夜扑在工作上。终于，1999年2月23日，公司比计划提前七个月投片生产，标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集成电路生产线。华虹NEC的成功同时也引发了上海集成电路产业的集群效应，使上海在短短几年内，形成了一条由电路设计、晶元制造、封装测试、设备材料、智能卡等不同领域三百余家企业构建的完整的集成电路产业链，产能约占全国的三分之一。

2001年，邹世昌先后当选为浦东新区科学技术协会主席和上海集成电路行业协会会长，2003年被授予“上海浦东开发建设杰出人才”称号，并转任上海宏力半导体制造有限公司董事长职务。

在此后的几年中，邹世昌以科学家和董事长的双重身份，带领宏力公司承担了多项重要政府科技攻关项目，包括国家重大科技专项、“863计划”以及上海市、浦东新区的多个科技项目。

发展微电子产业任重而道远。从集成电路技术和产业发展趋势看，从8英寸向12英寸升级是必然的。2009年上海市政府工作报告明确要加快12英寸集成电路生产线的建设，作为调整产业结构、提升产业国际竞争力的重要举措。邹世昌又成为12英寸集成电路生产线—华力半导体公司董事会的董事，继续为我国的微电子事业奋斗打拼。

引进是手段，创新是目的。引进不是照搬，而是为了拓展和超越。在扩大生产规模的同时，更要把整机、集成电路设计和制造有机地连接起来。这正是邹世昌投身上海半导体产业以来一直在奔走、呼吁和推动的事情。

梦 · 桃李芬芳

邹世昌不仅是我国离子束、集成电路领域的领军人，他还是一位诲人不倦的好老师。几十年来，邹世昌以大师的风范影响和培养了五十余名硕博士研究生。这些弟子中，近一半在国外进修后选择了回国效力，很多已成为相关学术界或产业界的领军人才，其中不乏中国科学院院士、研究所领导、公司总经理、国家重点实验室和工程中心主任等。

早在20世纪80、90年代邹世昌担任研究所所长时，他就常说：“人才是关系到研究所兴衰存亡的大事情，一个研究单位的竞争能力，归根到底取决于科技队伍的素质与水准。”

那时，上海冶金研究所年轻科技人员流失的问题比较严重。邹世昌十分清楚面临的难题：资金不足，住房紧张，陈旧的论资排辈思想等等。经过反复斟酌，到了20世纪90年代初，经过仔细调研和缜密思考，邹世昌认为是痛下决心的时候了。

“作为所长，我在位一天，就要创造一切条件让年轻人尽快成长起来，就是要采取超常规的政策和措施，吸引、稳定、留住年轻人。”邹世昌如是说。他与领导班子认真商议后，制定了一系列措施，天平开始向青年才俊们倾斜。在冶金所，晋升专业技术职称至少有20%—30%的比例用于青年科技人员；吸收选拔他们参加所学术、学位评定、职称评审三个委员会和担任各级领导职务；出国考察优先考虑年轻人；在住房分配中，青年科技人员的比例不少于20%；对优秀青年人才要一事一议，特事特办；给青年人压担子，创造脱颖而出的环境与条件。

为了能够吸引优秀青年人才，在制度保障的同时，邹世昌还找青年科技人员促膝长谈，用自己的亲身经历影响他们，希望他们把发展祖国的科技事业作为自己的责任。邹世昌还尽心尽力地为他们排忧解难，以真诚之情打动人心。他的学生，中国科学院院士王曦 就曾经与他结下过这样一段不解之缘。

1987年，王曦刚刚从清华大学毕业，通过交谈王曦被邹世昌渊博的学术造诣、豁达的处事态度所深深折服，便毫不犹豫地选择了保送到上海冶金研究所攻读邹世昌的硕士、博士学位。1998年，王曦在德国罗森多夫研究中心做洪堡学者，他再次面临选择：要不要回国。所长江绵恒和邹世昌在德国和王曦长谈，向王曦介绍了中科院正在开展的知识创新工程，让他感到国内大有可为，在江绵恒所长和邹世昌的感召下，王曦义无反顾地回到了祖国，改变了自己的科学研究生涯。为了让年轻人有更多展示自己的舞台，邹世昌还推荐王曦成为了国际波姆物理学会科学成员、离子束材料表面改性序列国际会议国际委员会委员，让王曦能进一步拓展视野，有机会在更高层面上到国外学习交流，领悟到更多先进的理念。王曦于2009年当选中国科学院院士。

其后，在邹世昌主持集成电路生产线建设时，他发现生产线的技术领导和负责人绝大多数来自海外，我们自己培养的人才还未能掌握集成电路制造与生产的核心技术和领导管理能力，更坚定了邹世昌培养青年人才的决心。邹世昌主导执行宏力半导体公司与上海微系统所联合培养博士研究生计划，目前已培养了17名博士，他们的科研工作紧贴生产工艺实际，动手和集成能力强，走上工作岗位受到企业的普遍欢迎，邹世昌期望他们在工作岗位上经过多年的锻炼能够成长为我国集成电路产业的骨干和将才。

邹世昌以深厚的学术造诣和严谨的科研态度为学生传道解惑，以真诚的关怀和细致的照顾给学生家长般的温暖，他不仅是学生的导师，更是学生实现人生理想的领路人。

梦 · 人生如歌

2007年，邹世昌从宏力公司董事长的岗位卸任转做科学顾问后，又重新兼顾起上海微系统所的研究课题工作。如今，年逾耄耋的邹世昌依旧奔忙在科研第一线，身体力行地指导团队工作，为在中国的半导体先进工艺线上生产出中国人自主设计制造的芯片产品而奋斗，为解决社会经济发展和国家安全的需求发挥着一名科技工作者的作用。

邹世昌几十年如一日，在科研和社会生涯中说得少、做得多，年届八十仍事必躬亲，言传身教，帮助年轻人把握技术工作中的重要细节。在党和人民给予的各项荣誉面前，邹世昌时刻审视自己，谦虚谨慎，不骄不躁。运用渊博的学识和丰富的阅历，积极参与各项社会公益事业，弘扬科学道德，倡导科学理念。

展望将来，邹世昌总是谦逊地说：“我要求自己在还能工作的年限里继续奋斗，自强不息，再为自主研发和人才培养这两方面做一点新的贡献。”

邹世昌视事业为第一生命。他爱祖国、爱人民，爱奋斗了大半辈子的科学研究事业。他在一则自述中深情地写道：“我出生于这块饱经蹂躏侵略、贫穷落后的土地上，我的命运就和祖国的前途紧紧相连，我的历史责任是要竭尽全力去改变她的面貌，建设一个繁荣昌盛、科技发达的新中国。”

桑榆未晚，望天边夕阳如火；青松陶然，看人生如梦如歌。

邹世昌用梦想与汗水交织他的人生，一路寻梦而来。为学，报国图强；为师，桃李天下；为人，正直坦然。数十载转瞬如梦，勤勤恳恳，坦坦荡荡，大梦无疆，且歌且行！