2021年6月28日，党中央决定，授予邹世昌同志“全国优秀共产党员”称号。

邹世昌，1931年7月27日出生，中国科学院院士，中共党员，北京科技大学冶金工程专业52届本科生。

邹世昌现为中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师，上海华虹宏力半导体制造有限公司科学顾问。曾任中国科学院上海冶金研究所所长、上海华虹（集团）有限公司董事、上海市集成电路行业协会会长、浦东新区科协主席。邹世昌在六十年代曾负责国防重点任务甲种分离膜的加工成形工作，是成功研制甲种分离膜的第二发明人。七十年代以后在离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作，独创了用二氧化碳激光背面辐照获得离子注入损伤的增强退火效应，用全离子注入技术研制成我国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成我国第一批闪光全息光栅，研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路，发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。他获国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励，发表文章200多篇，培养博士生30多名，2003年被评为上海浦东开发建设杰出人才，2008年被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。